電子行業(yè)純水設(shè)備價(jià)格需要根據(jù)產(chǎn)水的要求來決定的,比如有的產(chǎn)水質(zhì)量要求比較低,一般就不會使用超濾,樹脂,EDI,只使用一級反滲透純水設(shè)備就能夠達(dá)到要求,而有的產(chǎn)水質(zhì)量要求高,進(jìn)水硬度過高,不僅僅需要一級反滲透純水設(shè)備,還要在反滲透純水前面加入軟化樹脂,將進(jìn)水進(jìn)行軟化。除了這些,還要根據(jù)設(shè)備的材質(zhì)來區(qū)分,比如過濾器有304、316兩種不同的材質(zhì),價(jià)格自然就不一樣了,所以一般不會有具體的價(jià)格。
以安利吉半導(dǎo)體公司微納電子芯片生產(chǎn)過程中需用到電阻率≥16MΩ·cm的純水設(shè)備為例,針對進(jìn)水水質(zhì)及出水水質(zhì)要求,本純水制備工藝設(shè)計(jì)中采用UF(超濾) +RO(反滲透) +EDI(電除鹽) 組合工藝進(jìn)行處理,達(dá)到電阻率≥16MQ·cm超純水水質(zhì)要求。
一、進(jìn)水水質(zhì)及出水要求
根據(jù)業(yè)主提供的資料,本電子行業(yè)純水設(shè)備原水水源采用安利吉半導(dǎo)體自備水廠生產(chǎn)的符合國家生活飲用水標(biāo)準(zhǔn)的自來水,設(shè)計(jì)超純水產(chǎn)量為:10m3/h,
進(jìn)水主要水質(zhì)指標(biāo)見下表:
項(xiàng)目
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PH
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渾濁度(NTU)
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總硬度(以CaCO3mg/L 計(jì))
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TDS(mg/L)
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色度(度)
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原水水質(zhì)指標(biāo)
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7.3
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2
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350
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650
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11
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出水水質(zhì)達(dá)到實(shí)驗(yàn)室分析用水標(biāo)準(zhǔn)(GB6682-2000)一級標(biāo)準(zhǔn),其中電阻率要求達(dá)到16MΩ·cm以上。
二,安利吉半導(dǎo)體公司生產(chǎn)微納電子芯片用純水設(shè)備工藝說明及主要設(shè)備參數(shù):
2.1原水供水系統(tǒng):
為防止自來水供水量或供水壓力不足,保證后續(xù)用水的穩(wěn)定性,系統(tǒng)設(shè)置一座5m的不銹鋼原水箱,含控制閥、管件及液位控制器;另為了后續(xù)預(yù)處理的穩(wěn)定,設(shè)置恒壓供水系統(tǒng)一套,包含不銹鋼多級泵2臺(一用一備),泵主要性能參數(shù)為Q=25m3/h,H=0.15Mpa。
2.2預(yù)處理系統(tǒng):
目前的反滲透膜不能直接對原水進(jìn)行處理,原水中的各種成份會影響和損害其性能和使用壽命,水中的鈣、鎂、鋇等多價(jià)陽離子及微生物等會引起膜的污染和堵塞,反滲透膜的進(jìn)水水質(zhì)要求比較嚴(yán)格,因此,為了滿足反滲透膜高要求的進(jìn)水水質(zhì),需采取必要的預(yù)處理工藝,完善的預(yù)處理過程是保證反滲透長期順利運(yùn)行的關(guān)鍵。
本設(shè)計(jì)采用超濾(UF)作為反滲透的預(yù)處理工序。相比常規(guī)預(yù)處理方法(即絮凝、沉淀、過濾、活性炭吸附及保安過濾),采用超濾(UF)用作反滲透預(yù)處理具有以下優(yōu)勢:
①降低投資成本。反滲透膜的污染源之一就是預(yù)處理效果較差導(dǎo)致的微粒沉積, 超濾可以顯著降低進(jìn)水的SDI,過濾效果比傳統(tǒng)預(yù)處理方式更好更穩(wěn)定。另外由于UF出水水質(zhì)穩(wěn)定, 低濁度、低SDI值允許RO提高設(shè)計(jì)流速,從而減少了RO組件、壓力容器以及相關(guān)管件的數(shù)量從而降低投資成本。
②確保出水水質(zhì)。常規(guī)過濾屬毛細(xì)管過濾,而超濾則是表面過濾,兩者去除雜質(zhì)的機(jī)理不同,超濾出水水質(zhì)更好、更穩(wěn)定。
③操作簡單,自動化程度高。相比常規(guī)的過濾工藝,超濾系統(tǒng)具有操作簡單、自動化程度高、性能穩(wěn)定、設(shè)備占地面積小等優(yōu)勢。由于超濾是以機(jī)械篩分原理為基礎(chǔ)的一種溶液分離過程,過濾時(shí)間極為短暫,這使膜濾設(shè)備與其處理水量的容積比極小,而其他過濾設(shè)備遠(yuǎn)不能及。預(yù)處理系統(tǒng)設(shè)置不銹鋼袋式過濾器(10um一臺、超濾系統(tǒng)0.1umPVDF材質(zhì)超濾膜組件)六套及相應(yīng)的加藥系統(tǒng)、化學(xué)清洗及連接管道、儀表等,另設(shè)置一座5m3的超濾產(chǎn)水水箱。
2.3反滲透(RO)系統(tǒng):
反滲透系統(tǒng)主要設(shè)置不銹鋼高壓泵(Q=20m3/h, H=1.4Mpa) 一臺, 反滲透膜高壓膜殼(8”FRP玻璃鋼,4支裝) 3套, 反滲透膜(BW30-4040) 12套,以及相應(yīng)的化學(xué)清洗及連接管道、儀表、閥門等。
2.4化學(xué)清洗系統(tǒng):UF及RO共用, 設(shè)置1m清洗箱、清洗泵(Q=10m3/h, H=0.3Mpa) 、酸堿過濾器及相應(yīng)管道、閥門等。
2.5電除鹽(EDI) 系統(tǒng):通過RO系統(tǒng)處理后的純水電阻率通常在10MΩ·cm左右,不能達(dá)到工藝的使用要求, 因此后續(xù)須增加EDI處理工序。
EDI又稱連續(xù)電除鹽技術(shù), 在電場的作用下實(shí)現(xiàn)水中離子的定向遷移,從而達(dá)到水的深度凈化除鹽,并通過水電解產(chǎn)生的氫離子和氫氧根離子對裝填樹脂進(jìn)行連續(xù)再生, 因此EDI制水過程不需酸、堿化學(xué)藥品再生即可連續(xù)制取高品質(zhì)純水生產(chǎn)出電阻率高達(dá)15~17MQ·cm的超純水。考慮到源水硬度較高,投加阻垢劑的效果不理想且運(yùn)行成本過高。同時(shí),EDI進(jìn)水對硬度要求<0.3mg/1,所以在EDI前配置了全自動再生軟水機(jī)2套(一用一備)。
EDI系統(tǒng)采用MK-2EDI膜堆4套,P 010電子式電源4套,以及配套的水泵、電控、閥路系統(tǒng)。
2.6超純水終端
本系統(tǒng)包含10m3氮封式純水水箱(含液位傳感及控制器)
3.運(yùn)行效果
本套超濾+RO+EDI超純水制備組合工藝已建成投運(yùn)至今, 根據(jù)建設(shè)單位的反饋,出水電阻率能穩(wěn)定保持在16~17MΩ·cm之間,從而保證了微納電子芯片生產(chǎn)的質(zhì)量。
對安利吉半導(dǎo)體公司生產(chǎn)微納電子芯片用純水設(shè)備系統(tǒng)的總結(jié):采用UF+RO+EDI的組合工藝,可確保獲得最佳的水處理工藝性能,能夠長期保證出水電阻>16MΩ·cm。與常規(guī)的酸堿再生相比較,本工藝設(shè)備自動化程度較高,并且省去了酸堿再生所需的費(fèi)用,對環(huán)境不產(chǎn)生任何污染。UF作為RO裝置的預(yù)處理工序,可以有效的降低處理成本,又能保證出水水質(zhì)穩(wěn)定; RO裝置與EDI聯(lián)合使用, 既能有效解決RO出水不能徹底除鹽的缺點(diǎn),又可以提高EDI的進(jìn)水水質(zhì), 防止EDI損壞,加大整體凈水效果。UF、RO與EDI結(jié)合使用的技術(shù),將使純水處理更加低成本、無污染、連續(xù)生產(chǎn)、易操作,給電子行業(yè)生產(chǎn)廠家提供參考。
安利吉半導(dǎo)體公司生產(chǎn)微納電子芯片用純水設(shè)備
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